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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/33903
Título: Modeling SiGe through classical molecular dynamics simulations: chasing an appropriate empirical potential
Otros títulos: Spanish Conference on Electron Devices (CDE 2018)
Autor: Martín Encinar, Luis
Santos Tejido, Iván
López Martín, Pedro
Marqués Cuesta, Luis Alberto
Aboy Cebrián, María
Pelaz Montes, María Lourdes
Congreso: 2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Año del Documento: 2019
Editorial: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE).
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: 2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE). Proceedings, 14-16 Nov. 2018, Salamanca.
Resumen: We used classical molecular dynamics simulations to reproduce basic properties of Si, Ge and SiGe using different empirical potentials available in the literature. The empirical potential that offered the better compromise with experimental data was used to study the surface stability of these materials. We considered the (100), (100)2×1 and (111) surfaces, and we found the processing temperature range to avoid the structural degradation of studied surfaces.
Palabras Clave: Simulaciones de dinámica molecular
Molecular dynamics simulations
ISBN: 978-1-5386-5779-9
DOI: https://doi.org/ 10.1109/CDE.2018.8597030
Patrocinador: Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2017-86150-P)
Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación – Ref. VA097P17 and VA119G18)
Version del Editor: https://ieeexplore.ieee.org/document/8597030
Propietario de los Derechos: © 2018 IEEE
Idioma: eng
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/33903
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:Electrónica - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc.
DEP22 - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc.

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