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Modeling and experimental characterization of stepped and v-shaped {311} defects in silicon	460

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enero 2024

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febrero 2024

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abril 2024

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Estados Unidos	26
China	8
Singapur	6
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India	1
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Estados Unidos	19
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Ashburn	8
Indianola	5
Singapore	3
Hangzhou	1
Jakarta	1
Schaumburg	1
Shanghai	1
Sydney	1
Welsh	1

Ciudades con más descargas

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Shanghai	5
Ashburn	3
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