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Modeling and experimental characterization of stepped and v-shaped {311} defects in silicon897

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julio 20259
agosto 202523
septiembre 202520
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Estados Unidos28
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España3
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Francia2
Singapur1

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Council Bluffs13
Central10
Shanghai9
Inca8
Singapore4
Perth3
Adelaide2
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Campinas2
Chicago2

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Ashburn8
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