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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/28622

    Título
    Kinetic Monte Carlo simulations of boron activation in implanted Si under laser thermal annealing
    Autor
    Fisicaro, Giuseppe
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Italia, Markus
    Huet, Karim
    Cristiano, Filadelfo
    Essa, Zahi
    Yang, Qui
    Bedel Pereira, Elena
    Quillec, Maurice
    La Magna, Antonino
    Año del Documento
    2014
    Editorial
    IOP Publishing
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Applied Physics Express, 2014, Volume 7, Number 2
    Resumen
    We investigate the correlation between dopant activation and damage evolution in boron-implanted silicon under excimer laser irradiation. The dopant activation efficiency in the solid phase was measured under a wide range of irradiation conditions and simulated using coupled phase-field and kinetic Monte Carlo models. With the inclusion of dopant atoms, the presented code extends the capabilities of a previous version, allowing its definitive validation by means of detailed comparisons with experimental data. The stochastic method predicts the post-implant kinetics of the defect-dopant system in the far-from-equilibrium conditions caused by laser irradiation. The simulations explain the dopant activation dynamics and demonstrate that the competitive dopant-defect kinetics during the first laser annealing treatment dominates the activation phenomenon, stabilizing the system against additional laser irradiation steps.
    ISSN
    1882-0778
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.7567/APEX.7.021301
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2011-27701)
    Patrocinador
    info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/258547
    Version del Editor
    http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.7.021301
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/28622
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

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