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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30981

    Título
    W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations
    Autor
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2018
    Editorial
    Springer
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Journal of Electronic Materials, 2018, Volume 47, Issue 9, pp 5045–5049
    Resumen
    Several atomistic techniques have been combined to identify the structure of defects responsible for X and W photoluminescence lines in crystalline Si. We used kinetic Monte Carlo simulations to reproduce irradiation and annealing conditions used in photoluminescence experiments. We found that W and X radiative centers are related to small Si self-interstitial clusters but coexist with larger Si self-interstitials clusters that can act as nonradiative centers. We used molecular dynamics simulations to explore the many different configurations of small Si self-interstitial clusters, and selected those having symmetry compatible with W and X photoluminescence centers. Using ab initio simulations, we calculated their formation energy, donor levels, and energy of local vibrational modes. On the basis of photoluminescence experiments and our multiscale theoretical calculations, we discuss the possible atomic configurations responsible for W and X photoluminescence centers in Si. Our simulations also reveal that the intensity of photoluminescence lines is the result of competition between radiative centers and nonradiative competitors, which can explain the experimental quenching of W and X lines even in the presence of the photoluminescence centers.
    Palabras Clave
    Fotoluminiscencia
    Silicio cristalino
    Photoluminescence
    Crystalline silicon
    ISSN
    0361-5235
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1007/s11664-018-6300-z
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2014-60694-P)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA331U14)
    Spanish Supercomputing Network (RES) Project No. QCM-2014-3-0034
    Version del Editor
    https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-018-6300-z
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30981
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    2018_Aboy_JEM_47.pdf
    Tamaño:
    1.063Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

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