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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31964

    Título
    Simulation of p-n junctions: Present and future challenges for technologies beyond 32 nm
    Autor
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Duffy, Ray
    Año del Documento
    2010
    Editorial
    American Vacuum Society
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 2010, 28, C1A1-C1A6
    Résumé
    Ion implantation continues being the dominant technique to introduce dopants in Si devices. With the device feature size in the nanometer scale, the accurate and detailed description of as-implanted dopant and damage profiles is becoming key as advanced annealing techniques are almost diffusionless. The demanding requirements for ultrashallow junction formation are stimulating the development of improved and detailed models for molecular implants and for the kinetics of amorphous damage. Additional challenges arise in the doping of advanced architectures, such as fin field effect transistors, because the introduction of highly tilted ions is quite inefficient and, in addition, the regrowth of amorphous regions in narrow structures is hampered by the slow regrowth at free interfaces and {111} planes. Atomistic simulations play a relevant role to provide the understanding for the development of simplified physically based models computationally more efficient.
    Palabras Clave
    Implantación de iones
    Ion implantation
    ISSN
    2166-2746
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1116/1.3231481
    Patrocinador
    Ministerio de Economía, Industria y Competitividad (Project TEC2008-06069)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA011A09)
    Version del Editor
    https://avs.scitation.org/doi/10.1116/1.3231481
    Propietario de los Derechos
    © 2010 American Vacuum Society
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31964
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
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    Fichier(s) constituant ce document
    Nombre:
    2010_Pelaz_JVSTB_28.pdf
    Tamaño:
    690.3Ko
    Formato:
    Adobe PDF
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