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IONDegradation in Si Devices in Harsh Radiation Environments: Modeling of Damage-Dopant Interactions	1119

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España	9
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Vietnam	5
Alemania	4
India	4

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Estados Unidos	24
China	8
Alemania	4
España	3
Singapur	3
India	2
Rusia	1
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Central	16
Council Bluffs	13
Shanghai	10
Inca	8
Singapore	7
Ashburn	3
Frankfurt am Main	3
Hanoi	3
Hefei	3
São Paulo	3

Ciudades con más descargas

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Frankfurt am Main	4
Shanghai	2
Inca	1
Singapore	1
Ashburn	1
Council Bluffs	1