Navegação Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por data do documento "2025"

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Dynamics of set and reset processes in HfO2 -based bipolar resistive switching devices

Vinuesa, G.; García García, Héctor ; González, M.B.; Campabadal Segura, Francesca; Castán Lanaspa, María Helena ; Dueñas Carazo, Salvador (2025)
Effect of set and reset dynamics on HfO2, Al2O3, and bilayer memristors

Vinuesa, G.; del Val, T.; Kalam, K.; García García, Héctor ; González, M.B.; Campabadal Segura, Francesca; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena (2025)
Electrical and magnetic properties of atomic layer deposited cobalt oxide and iron oxide stacks

Kalam, Kristjan; Rammula, Raul; Kozlova, Jekaterina; Käämbre, Tanel; Ritslaid, Peeter; Kasikov, Aarne; Tamm, Aile; Link, Joosep; Stern, Raivo; Vinuesa, Guillermo; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Kukli, Kaupo (2025)
Reset transition in HfO2-Based memristors using a constant power signal

García García, Héctor ; Vinuesa Sanz, Guillermo ; González, Mireia B.; Campabadal Segura, Francesca; Castán Lanaspa, María Helena ; Dueñas Carazo, Salvador (2025)