ListarGrupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por tema "2203 Electrónica"

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A thorough investigation of the switching dynamics of TiN/Ti/10 nm-HfO2/W resistive memories

Maldonado, D; Vinuesa Sanz, Guillermo ; Aldana, S; Aguirre, F.L.; Cantudo, A; García García, Héctor ; González, M. B.; Jiménez Molinos, Francisco; Campabadal Segura, Francesca; Miranda, E.; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Roldán, J.B. (2024)
Effect of dielectric thickness on resistive switching polarity in TiN/Ti/HfO2/Pt stacks

Vinuesa Sanz, Guillermo ; García García, Héctor ; Bargalló González, Mireia; Kalam, Kristjan; Zabala, Miguel; Tarre, Aivar; Kukli, Kaupo; Tamm, Aile; Campabadal Segura, Francesca; Jiménez López, Juan Ignacio ; Castán Lanaspa, María Helena ; Dueñas Carazo, Salvador (2022)
Structure and electrical behavior of hafnium-praseodymium oxide thin films grown by atomic layer deposition

Kukli, Kaupo; Aarik, Lauri; Vinuesa Sanz, Guillermo ; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; García García, Héctor ; Kasikov, Aarne; Ritslaid, Peeter; Piirsoo, Helle-Mai; Aarik, Jaan (2022)