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    Castán Lanaspa, María Helena (3)
    Domínguez, Leidy Azucena (3)
    Dueñas Carazo, Salvador (3)
    García García, Héctor (3)González Ossorio, Óscar (3)... másFecha2018 (2)2017 (1)Formatoapplication/pdf (3)... más
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    The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications 

    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; García García, HéctorAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Domínguez, Leidy Azucena; Seemen, Helina; Tamm, Aile; Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan (2018)
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    Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters 

    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; García García, HéctorAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Domínguez, Leidy Azucena; Sahelices Fernández, BenjamínAutoridad UVA; Miranda, E.; Bargalló González, Mireia; Campabadal Segura, Francesca (2018)
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    Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices 

    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Domínguez, Leidy Azucena; García García, HéctorAutoridad UVA; Kalam, Kristjan; Kukli, Kaupo; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku (2017)

    Universidad de Valladolid

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