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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44651

    Título
    Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters
    Autor
    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA Orcid
    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA Orcid
    García García, HéctorAutoridad UVA Orcid
    González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA
    Domínguez, Leidy Azucena
    Sahelices Fernández, BenjamínAutoridad UVA Orcid
    Miranda, E.
    Bargalló González, Mireia
    Campabadal Segura, Francesca
    Año del Documento
    2018
    Editorial
    AIP Publishing
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Journal of Applied Physics, 2018, vol. 124, n. 15. 9 p.
    Resumen
    A thorough study of the admittance of TiN/Ti/HfO2/W bipolar resistive memories [resistance random access memory (RRAM)] was carried out under different bias conditions and in a wide range of ac signal frequencies. We demonstrate that a continuum of intermediate states can be obtained by applying appropriate dc bias waveforms. Cumulative writing and erasing admittance cycles were performed by applying triangular voltage waveform of increasing amplitude. The influence of the initial conditions on the variation of the real (conductance) and imaginary (susceptance) components of the admittance is described. An accurate control of the memory state is achieved both in terms of the conductance and the susceptance by means of an adequate selection of the voltage values previously applied. A method to obtain three-dimensional voltage-conductance-susceptance state-plots is described in detail. Memory maps of admittance parameters as a function of the programming voltage are made by sensing the memory state at 0 V, without static power consumption. The multilevel nature of RRAM devices and their suitability for neuromorphic computation are demonstrated.
    Palabras Clave
    Metal oxides
    Óxidos metálicos
    Dielectric properties
    Propiedades dieléctricas
    Thin films
    Láminas delgadas
    ISSN
    1089-7550
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1063/1.5024836
    Patrocinador
    Ministerio de Economía, Industria y Competitividad - Fondo Europeo de Desarrollo Regional (grants TEC2014-52152-C3-3-R and TEC2014- 52152-C3-1-R)
    Version del Editor
    https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5024836
    Propietario de los Derechos
    © 2018 AIP Publishing
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44651
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • GCME- Artículos de revista [57]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    Analysis-and-control-RRAM.pdf
    Tamaño:
    3.207Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternacionalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional

    Universidad de Valladolid

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