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    Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME): Envíos recientes

    Mostrando ítems 41-45 de 71

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        Low-energy inference machine with multilevel HfO2 RRAM arrays 

        Milo, V.; Zambelli, Cristian; Olivo, P.; Pérez, Eduardo; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Wenger, Christian; Ielmini, Daniele (2019)
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        Effective reduction of the programing pulse width in Al: HfO2-based RRAM arrays 

        González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Pérez, Eduardo; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; García García, HéctorAutoridad UVA; Wenger, Christian (2019)
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        Energy levels of defects created in silicon supersaturated with transition metals 

        García García, HéctorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; García Hemme, E.; García Hernansaz, R.; Montero, D.; González Díaz, G. (2018)
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        Electrical characterization of defects created by γ-radiation in HfO2-based MIS structures for RRAM applications 

        García García, HéctorAutoridad UVA; Bargalló González, Mireia; Mallol, M. M.; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Campabadal Segura, Francesca; Acero, M. C.; Sambuco Salomone, L.; Faigón, A. (2018)
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        Controlling the intermediate conductance states in RRAM devices for synaptic applications 

        García García, HéctorAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA (2019)

        Universidad de Valladolid

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