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Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME)
GCME - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc.
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GCME - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc.: Envíos recientes
Mostrando ítems 11-13 de 13
Single and complex devices on three topological configurations of HfO2 based RRAM
González Ossorio, Óscar
;
Poblador Cester, Samuel
;
Vinuesa Sanz, Guillermo
;
Dueñas Carazo, Salvador
;
Castán Lanaspa, María Helena
;
Maestro Izquierdo, Marcos
;
Bargalló González, Mireia
;
Campabadal Segura, Francesca
(
2020
)
Resistive switching properties of atomic layer deposited ZrO2-HfO2 thin films
González Ossorio, Óscar
;
Dueñas Carazo, Salvador
;
Castán Lanaspa, María Helena
;
Tamm, Aile
;
Kalam, Kristjan
;
Seemen, Helina
;
Kukli, Kaupo
(
2018
)
Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices
Dueñas Carazo, Salvador
;
Castán Lanaspa, María Helena
;
González Ossorio, Óscar
;
Domínguez, Leidy Azucena
;
García García, Héctor
;
Kalam, Kristjan
;
Kukli, Kaupo
;
Ritala, Mikko
;
Leskelä, Markku
(
2017
)