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A thorough investigation of the switching dynamics of TiN/Ti/10 nm-HfO2/W resistive memories	226

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Outubro 2024	9
Novembro 2024	7
Dezembro 2024	8
Janeiro 2025	41
Fevereiro 2025	4
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Estados Unidos	45
Espanha	19
China	16
Finlândia	7
Suécia	3
França	3
Suíça	2
Alemanha	2
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	2
Rússia	2

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Estados Unidos	20
China	3
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Valladolid	15
Boardman	2
Central	2
Ashburn	2
Barcelona	1
Brussels	1
Dublin	1
Helsinki	1
Quito	1

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Ashburn	4
Valladolid	1