El impulso acelerado de la industria microelectrónica ha conducido al empleo de
dieléctricos de alta permitividad (K) como una alternativa para continuar el escalado.
Tanto en aplicaciones espaciales, médicas, como de física de alta energía los transistores
son sometidos a ambientes de fuertes irradiaciones provocando una degradación
progresiva de los dispositivos. La respuesta de la fiabilidad de los dieléctricos de alta
K frente la irradiación determinará su viabilidad e incorporación a circuitos integrados
comerciales. En este trabajo se estudia el impacto de irradiaciones de una energía
de 2MeV sobre dieléctricos de alta K de Al2O3 de 5.9nm de grosor depositados por
ALD (Atomic Layer Deposition), sobre sustrato de Si tipo p. Fueron analizadas muestras
expuestas a diferentes dosis de irradiación del orden de 1014e=cm2, 1015e=cm2 y
1016e=cm2. Se realizó un estudio de la variación
experimentada por la conductancia en función de la dosis de irradiación, la frecuencia
y la temperatura mediante de la técnica de Espectroscopía de Admitancia.
La licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International