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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31963
Título: Elucidating the atomistic mechanisms driving self-diffusion of amorphous Si during annealing
Autor: Santos Tejido, Iván
Pelaz Montes, María Lourdes
Marqués Cuesta, Luis Alberto
Colombo, Luciano
Año del Documento: 2011
Editorial: American Physical Society
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: Physical Review B, 2011, 83, 153201
Resumen: We have analyzed the atomic rearrangements underlying self-diffusion in amorphous Si during annealing using tight-binding molecular dynamics simulations. Two types of amorphous samples with different structural features were used to analyze the influence of coordination defects. We have identified several types of atomic rearrangement mechanisms, and we have obtained an effective migration energy of around 1 eV. We found similar migration energies for both types of samples, but higher diffusivities in the one with a higher initial percentage of coordination defects.
Palabras Clave: Silicio cristalino
Crystalline silicon
ISSN: 2469-9950
Revisión por Pares: SI
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.153201
Patrocinador: Ministerio de Economía, Industria y Competitividad (Project TEC2008-06069)
Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA011A09)
HPC-EUROPA2 (Project 228398)
Version del Editor: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.83.153201
Propietario de los Derechos: © 2011 American Physical Society
Idioma: eng
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31963
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:Electrónica - Artículos de revista
DEP22 - Artículos de revista

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