Estudio experimental de estructuras para su aplicación en memorias resistivas

Abstract

La memoria de acceso aleatorio resistivas (RRAM) está en la actualidad siendo investigada y desarrollada como reemplazo de la tecnología flash, por el momento usada para almacenar información en dispositivos móviles, instrumentación científica, electrónica médica, robótica industrial, etc. Estas nuevas memorias no volátiles están basadas en estructuras metal-aislante-metal (MIM) o estructuras metal-asilante-semiconductor (MIS) las cuales manifiestan el fenómeno de conmutación resistiva. Este fenómeno va a depender de las características del aislante y los materiales que compongan el electrodo metálico. Este trabajo tiene como objetivo conocer el comportamiento de estructuras tanto MIS como MIM como células RRAM. Para ello, se realizará una caracterización eléctrica en profundidad de las estructuras, que determine las propiedades y el comportamiento de estos dispositivos. En este proyecto, se medirán las características del dieléctrico y de la interface que forman parte de una estructura MIS compuesta por Ni/Capa dieléctrica/Si − n+ por medio de una gran variedad de técnicas, como medidas de Capacidad - Tensión o transitorios de banda plana (Vfb−t). También se medirán estructuras MIM compuestas por W/T i/Capadieléctrica/TiN/T i en la que se aplicarán técnicas de medida de corriente-tensión y de conductancia-tensión que permitan obtener un estudio del funcionamiento global