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Defect formation during chlorine-based dry etching and their effects on the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells	695

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Argentina	2
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Estados Unidos	34
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Hong Kong	5
España	2
Brasil	1
Reino Unido	1
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Inca	8
Valladolid	6
Central	4
Hefei	3
Shanghai	3
Beijing	3
Huangpu	2
Los Angeles	2
San Francisco	2
Singapore	2

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Central	5
Inca	2
Beijing	1
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