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Defect formation during chlorine-based dry etching and their effects on the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells	697

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settembre 2025	33
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Hong Kong	5
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Brasile	1
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Inca	8
Valladolid	6
Central	4
Hefei	3
Shanghai	3
Beijing	3
Huangpu	2
Los Angeles	2
San Francisco	2
Singapore	2

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Central	5
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Beijing	1
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