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Temperature effect on damage generation mechanisms during ion implantation in Si. A classical molecular dynamics study	640

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Cingapura	3
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Chile	1
Índia	1

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Inca	8
Valladolid	4
Singapore	4
Huangpu	3
Central	3
Frankfurt am Main	2
San Jose	2
Shanghai	2
Concepción	2
Baoshan	1

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Frankfurt am Main	3
Inca	2
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