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Temperature effect on damage generation mechanisms during ion implantation in Si. A classical molecular dynamics study	630

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Vietnã	4
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	3
Chile	2
Alemanha	2
França	2

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Chile	1
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Inca	8
Valladolid	4
Singapore	4
Huangpu	3
Central	3
Frankfurt am Main	2
Shanghai	2
Concepción	2
Ashburn	1
Beijing	1

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Frankfurt am Main	3
Inca	2
Concepción	1
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