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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	756

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2010_Santos_PRB_81.pdf	386

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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	115

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Visitas

	Visitas
Setembro 2025	14
Outubro 2025	13
Novembro 2025	26
Dezembro 2025	9
Janeiro 2026	22
Fevereiro 2026	30
Março 2026	1

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Número de descargas en el intervalo

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Setembro 2025

10
Outubro 2025

7
Novembro 2025

13
Dezembro 2025

3
Janeiro 2026

7
Fevereiro 2026

1
Março 2026

1
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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	42
China	14
Vietnã	11
Rússia	10
Cingapura	7
Brasil	5
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	4
Espanha	4
Reino Unido	3
Alemanha	2

Países con más descargas

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Estados Unidos	18
China	5
Espanha	4
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	4
Reino Unido	2
Alemanha	2
Rússia	1
Cingapura	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Rostov-on-Don	10
Singapore	6
Central	4
Dallas	3
Ashburn	2
Dien Ban	2
Frankfurt am Main	2
Hefei	2
Ho Chi Minh City	2
Los Angeles	2

Ciudades con más descargas

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Central	2
Frankfurt am Main	2
Rostov-on-Don	1
Ashburn	1
Singapore	1