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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	712

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2010_Santos_PRB_81.pdf	378

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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	98

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	Visitas
Julho 2025	8
Agosto 2025	19
Setembro 2025	14
Outubro 2025	13
Novembro 2025	26
Dezembro 2025	9
Janeiro 2026	9

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Julho 2025

4
Agosto 2025

4
Setembro 2025

10
Outubro 2025

7
Novembro 2025

13
Dezembro 2025

3
Janeiro 2026

1
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Principais visualizações por país

	Visualizações
Estados Unidos	36
China	11
Cingapura	10
Espanha	9
Brasil	6
Vietnã	5
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	5
Reino Unido	3
Coreia do Sul	2
Marrocos	2

Países con más descargas

	Descargas
Estados Unidos	15
Cingapura	5
Espanha	5
China	4
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	2
Reino Unido	2
Vietnã	1
Coreia do Sul	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Inca	8
Singapore	6
Central	5
Hefei	3
Dallas	3
Seoul	2
Shanghai	2
Huangpu	2
Aquiraz	1
Baghdad	1

Ciudades con más descargas

	Descargas
Singapore	2
Central	2
Inca	2