Simulación de imágenes de defectos intrínsecos en Silicio mediante microscopía electrónica

Abstract

Este trabajo fin de máster trata sobre la simulación de imágenes en muestras de silicio mediante microscopía electrónica. Las muestras son generadas por simulación dando energía a un átomo de silicio que mediante colisiones forma los defectos. También se generan otras muestras a partir de las primeras pasándolas por un recocido mediante Dinámica Molecular. El objetivo principal es poder ver los defectos desde el punto de vista del microscopio electrónico de transmisión sabiendo de antemano la estructura de los defectos. Así podemos comparar la imagen del microscopio electrónico con la estructura conocida y cuando se use el microscopio con muestras reales poderlas ver bien e inferir propiedades de sus defectos. Los resultados obtenidos nos dan datos sobre el tamaño de los defectos visibles, las condiciones idóneas para ver la muestra, la evolución de los defectos con el recocido, etc...