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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232

    Título
    Termodinámica de defectos en semiconductores mediante simulaciones atomísticas: defectos en el plano {111} en Si cristalino
    Autor
    Caballo Zulueta, Ana
    Director o Tutor
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA
    Editor
    Universidad de Valladolid. Facultad de CienciasAutoridad UVA
    Año del Documento
    2019
    Titulación
    Grado en Física
    Resumen
    El objetivo de este TFG es estudiar a través de simulaciones atomísticas defectos de intersticiales precursores de los defectos extensos observados experimentalmente en silicio. Se analizarán en términos de su energía, estructura, simetría, modos normales de vibración y niveles electrónicos que introducen en el gap del semiconductor. Para ello se realizará una caracterización termodinámica de los defectos, que comprende el uso de simulaciones de dinámica molecular así como el estudio de la entropía vibracional y la simetría de los defectos, y una caracterización electrónica mediante simulaciones ab initio. En este trabajo se emplean los códigos de simulación paralelos LAMMPS, para la ejecución de simulaciones de dinámica molecular, y VASP, que permite realizar cálculos de tipo ab initio.
    Palabras Clave
    Silicio
    Clusters de intersticiales
    Defectos
    Idioma
    spa
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • Trabajos Fin de Grado UVa [30857]
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    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    TFG-G3605.pdf
    Tamaño:
    9.069Mb
    Formato:
    Adobe PDF
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    Universidad de Valladolid

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