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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44637

    Título
    Capacitance Spectroscopy for MOS Systems
    Autor
    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA Orcid
    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2018
    Editorial
    Jenny Stanford Publishing
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Dueñas, Salvador; Castán, Helena. Capacitance Spectroscopy for MOS Systems. Capacitance Spectroscopy of Semiconductors, edited by Jian V. Li, Giorgio Ferrari. 1st Edition, 2018, Jenny Stanford Publishing. https://doi.org/10.1201/b22451
    Resumen
    Capacitance studies of metal–oxide–semiconductor (MOS) capacitors have been used since the early 60s of the past century to investigates the interface surface states, oxide charge and electron and ion phenomena in these structures. This chapter provides detailed information about the theoretical basis, and examples of application of capacitance spectroscopy techniques in a variety of MOS systems.
    Palabras Clave
    Semiconductores de óxido metálico
    ISBN
    9781315150130
    Version del Editor
    https://www.taylorfrancis.com/books/capacitance-spectroscopy-semiconductors-jian-li-giorgio-ferrari/e/10.1201/b22451
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44637
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/draft
    Derechos
    restrictedAccess
    Aparece en las colecciones
    • GCME - Capítulos de monografías [2]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    Capacitance-Spectroscopy-MOS-Systems-Abstract.pdf
    Tamaño:
    247.9Kb
    Formato:
    Adobe PDF
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    Universidad de Valladolid

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