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Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2 : Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications	564

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Hong Kong	10
Reino Unido	2
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Brasil	2
Australia	1
Alemania	1
Egipto	1

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Estados Unidos	35
China	9
Hong Kong	5
Alemania	5
Australia	2
India	1
Singapur	1
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Ciudades con más visualizaciones

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Central	10
Singapore	9
Hefei	2
Baoding	2
Ashburn	1
Baicheng	1
Bengaluru	1
Braganca Paulista	1
Cairo	1
Changchun	1

Ciudades con más descargas

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Central	5
Baoding	2
Singapore	1
Ashburn	1