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Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2 : Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications	530

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Novembro 2025	17
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Espanha	8
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Cingapura	5
Brasil	5
Rússia	3
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Espanha	1
Cingapura	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1
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Inca	8
Central	8
Singapore	4
Shanghai	3
Hefei	3
Huangpu	2
Baoding	2
Ashburn	1
Braganca Paulista	1
Changchun	1

Ciudades con más descargas

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Baoding	2
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Central	1
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Inca	1