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Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2 : Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications	599

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Estados Unidos	41
China	27
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Cingapura	7
Vietnã	5
Reino Unido	2
Índia	2
Brasil	2
Austrália	1
Suíça	1

Países con más descargas

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Estados Unidos	26
China	7
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	5
Cingapura	2
Austrália	2
Reino Unido	1
Índia	1
Brasil	1

Principais visualizações por cidade

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Central	9
Singapore	7
Los Angeles	2
Baicheng	1
Baoding	1
Bengaluru	1
Braganca Paulista	1
Buon Ma Thuot	1
Cairo	1
Changchun	1

Ciudades con más descargas

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Central	5
Singapore	1
Baoding	1