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Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2 : Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications	552

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Cingapura	8
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Índia	2
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Alemanha	1
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Estados Unidos	32
China	9
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	5
Alemanha	5
Austrália	2
Índia	1
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Central	10
Singapore	7
Hefei	2
Baoding	2
Ashburn	1
Bengaluru	1
Braganca Paulista	1
Changchun	1
Chizhou	1
Coelho Neto	1

Ciudades con más descargas

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Central	5
Baoding	2
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