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Study of the set and reset transitions in HfO2-based ReRAM devices using a capacitor discharge375

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ottobre 202440
novembre 202419
dicembre 202428
gennaio 202523
febbraio 20255
marzo 20255
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  • ottobre 2024
    22
  • novembre 2024
    108
  • dicembre 2024
    26
  • gennaio 2025
    9
  • febbraio 2025
    4
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    6
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    10
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Stati Uniti40
Regno Unito33
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India5
Brasile3
Francia2
Singapore2
Hong Kong1

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Nottingham5
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Nottingham31
Ashburn13
Singapore2
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São Paulo1