Estudio de los mecanismos de conducción presentes en estructuras RRAM de óxido de hafnio

Abstract

Debido a que estamos cada vez más cerca de alcanzar el límite tecnológico en el ámbito de la computación (con la tecnología actual de transistores), se han explorado otras tecnologías, entre las que destacan los memristores o memorias resistivas (RRAM), las cuales poseen una serie de características muy útiles para su aplicación en computación neuromórfica. En este trabajo analizaremos en profundidad los mecanismos de conducción subyacentes al fenómeno de resistive switching. Para ello, caracterizaremos una muestra TiN/Ti/10nm – HfO2/W en un gran rango de temperaturas, analizando la dependencia de la corriente que atraviesa el dispositivo con el voltaje aplicado y con la temperatura.