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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30982
Título: Identification of Extended Defect Atomic Configurations in Silicon Through Transmission Electron Microscopy Image Simulation
Autor: Santos Tejido, Iván
Ruiz, Manuel
Aboy Cebrián, María
Marqués Cuesta, Luis Alberto
López Martín, Pedro
Pelaz Montes, María Lourdes
Año del Documento: 2018
Editorial: Springer
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: Journal of Electronic Materials, 2018, Volume 47, Issue 9, pp 4955–4958
Resumen: We used atomistic simulation tools to correlate experimental transmission electron microscopy images of extended defects in crystalline silicon with their structures at an atomic level. Reliable atomic configurations of extended defects were generated using classical molecular dynamics simulations. Simulated high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) images of obtained defects were compared to experimental images reported in the literature. We validated the developed procedure with the configurations proposed in the literature for {113} and {111} rod-like defects. We also proposed from our procedure configurations for {111} and {001} dislocation loops with simulated HRTEM images in excellent agreement with experimental images.
Palabras Clave: Silicio cristalino
Microscopia electrónica
Crystalline silicon
ISSN: 0361-5235
Revisión por Pares: SI
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6140-x
Patrocinador: Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2014-60694-P)
Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA331U14)
Version del Editor: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-018-6140-x
Idioma: eng
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30982
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:DEP22 - Artículos de revista
Electrónica - Artículos de revista

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