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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31965
Título: Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency
Autor: Santos Tejido, Iván
Castrillo, P.
Windl, W.
Drabold, D. A.
Pelaz Montes, María Lourdes
Marqués Cuesta, Luis Alberto
Año del Documento: 2010
Editorial: American Physical Society
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: Physical Review B, 2010, 81, 033203
Resumen: We have used ab initio simulations to study the doping efficiency of amorphous semiconductors, in particular of B-doped amorphous Si. We have found that even in the optimum case of substitutional doping in dangling-bond free amorphous Si the holes provided by B atoms do not behave as free carriers. Instead, they are trapped into regions with locally distorted bond angles. Thus, the effective activation energy for hole conduction turns to be the hole binding energy to these traps. In the case of high B concentration, the trap states move deeper in the gap and the binding energy and spatial localization of holes increase. In addition, B atoms have lower energies for shorter bond lengths, configurations favored in the vicinity of these traps.
Palabras Clave: Silicio cristalino
Crystalline silicon
ISSN: 2469-9950
Revisión por Pares: SI
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.033203
Patrocinador: Ministerio de Economía, Industria y Competitividad (Project TEC2008-0609 and TEC2008-05301)
ARO (Grant No. MURI W91NF-06-2-0026)
Ohio State University Center for Emergent Materials (NSF MRSEC Grant No. DMR-0820414)
Version del Editor: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.81.033203
Propietario de los Derechos: © 2010 The American Physical Society
Idioma: eng
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31965
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:Electrónica - Artículos de revista
DEP22 - Artículos de revista

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