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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/28012

    Título
    Improved physical models for advanced silicon device processing
    Autor
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2017
    Editorial
    Elsevier
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Materials Science in Semiconductor Processing Volume 62, 2017, Pages 62-79
    Zusammenfassung
    We review atomistic modeling approaches for issues related to ion implantation and annealing in advanced device processing. We describe how models have been upgraded to capture physical mechanisms in more detail as a response to the accuracy demanded in modern process and device modeling. Implantation and damage models based on the binary collision approximation have been improved to describe the direct formation of amorphous pockets for heavy or molecular ions. The use of amorphizing implants followed by solid phase epitaxial regrowth has motivated the development of detailed models that account for amorphization and recrystallization, considering the influence of crystal orientation and stress conditions. We apply simulations to describe the role of implant parameters to minimize residual damage, and we address doping issues that arise in non-planar structures such as FinFETs.
    Palabras Clave
    Silicon
    Ion implantation
    Silicio
    Implantación de iones
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1016/j.mssp.2016.11.007
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación - FEDER (Proyect TEC2014-60694-P)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación – Ref. VA331U14)
    Version del Editor
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800116305066
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/28012
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    Zur Langanzeige
    Dateien zu dieser Ressource
    Nombre:
    Improved-physical-models-silicon.pdf
    Tamaño:
    3.579Mb
    Formato:
    Adobe PDF
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    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalSolange nicht anders angezeigt, wird die Lizenz wie folgt beschrieben: Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

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