• español
  • English
  • français
  • Deutsch
  • português (Brasil)
  • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Parcourir

    Tout UVaDOCCommunautésPar date de publicationAuteursSujetsTitres

    Mon compte

    Ouvrir une session

    Statistiques

    Statistiques d'usage de visualisation

    Compartir

    Voir le document 
    •   Accueil de UVaDOC
    • PUBLICATIONS SCIENTIFIQUES
    • Grupos de Investigación
    • Electrónica
    • Electrónica - Artículos de revista
    • Voir le document
    •   Accueil de UVaDOC
    • PUBLICATIONS SCIENTIFIQUES
    • Grupos de Investigación
    • Electrónica
    • Electrónica - Artículos de revista
    • Voir le document
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano

    Exportar

    RISMendeleyRefworksZotero
    • edm
    • marc
    • xoai
    • qdc
    • ore
    • ese
    • dim
    • uketd_dc
    • oai_dc
    • etdms
    • rdf
    • mods
    • mets
    • didl
    • premis

    Citas

    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30982

    Título
    Identification of Extended Defect Atomic Configurations in Silicon Through Transmission Electron Microscopy Image Simulation
    Autor
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Ruiz Prieto, Manuel
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2018
    Editorial
    Springer
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Journal of Electronic Materials, 2018, Volume 47, Issue 9, pp 4955–4958
    Résumé
    We used atomistic simulation tools to correlate experimental transmission electron microscopy images of extended defects in crystalline silicon with their structures at an atomic level. Reliable atomic configurations of extended defects were generated using classical molecular dynamics simulations. Simulated high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) images of obtained defects were compared to experimental images reported in the literature. We validated the developed procedure with the configurations proposed in the literature for {113} and {111} rod-like defects. We also proposed from our procedure configurations for {111} and {001} dislocation loops with simulated HRTEM images in excellent agreement with experimental images.
    Palabras Clave
    Silicio cristalino
    Microscopia electrónica
    Crystalline silicon
    ISSN
    0361-5235
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1007/s11664-018-6140-x
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2014-60694-P)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA331U14)
    Version del Editor
    https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-018-6140-x
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/30982
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    Afficher la notice complète
    Fichier(s) constituant ce document
    Nombre:
    2018_Santos_JEM_47.pdf
    Tamaño:
    5.209Mo
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Voir/Ouvrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalExcepté là où spécifié autrement, la license de ce document est décrite en tant que Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

    Powered by MIT's. DSpace software, Version 5.10