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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32298

    Título
    Atomistic study of the anisotropic interaction between extended and point defects in crystalline silicon and its influence on Si self-interstitial diffusion
    Autor
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Ruiz Prieto, Manuel
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Hernández Díaz, A.M.
    Castrillo, P.
    Congreso
    2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    Año del Documento
    2016
    Editorial
    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Nuremberg, 2016, p. 35-37
    Resumen
    In this work we propose a methodology to analyze the elastic energy interaction at the atomic level between Si self-interstitials and extended defects in crystalline Si. The representation of this energy in maps in 2D planes shows the anisotropic nature of the elastic interaction. This elastic energy maps can be used to understand diffusion trajectories of Si self-interstitials around extended defects obtained from classical molecular dynamics simulations. The combined analysis of these trajectories and the elastic energy maps shows preferential capture directions around extended defects.
    Palabras Clave
    Simulaciones atomísticas
    Silicio cristalino
    Atomistic simulation
    Crystalline silicon
    ISBN
    978-1-5090-0818-6
    DOI
    10.1109/SISPAD.2016.7605142
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2014-60694-P)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA331U14)
    Version del Editor
    https://ieeexplore.ieee.org/document/7605142
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32298
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc. [13]
    • Electrónica - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc. [7]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    2016_Santos_SISPAD.pdf
    Tamaño:
    356.8Kb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

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