Listar GCME - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc. por autor "Dueñas Carazo, Salvador"

Mostrando ítems 1-11 de 11

A physically based model to describe resistive switching in different RRAM technologies

González-Cordero, G.; González, M.B.; García García, Héctor ; Campabadal, F.; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Jiménez-Molinos, F.; Roldán, J.B. (2017)
Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices

Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; González Ossorio, Óscar ; Domínguez, Leidy Azucena; García García, Héctor ; Kalam, Kristjan; Kukli, Kaupo; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku (2017)
Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices

Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; González Ossorio, Óscar ; Domínguez, L.A.; García García, Héctor ; Kalam, K.; Ritala, M.; Leskelä, M. (2018)
Advanced electrical characterization of atomic layer deposited Al2O3 MIS-based structures

García García, Héctor ; Castán Lanaspa, María Helena ; Dueñas Carazo, Salvador ; González, M.B.; Acero, M.C.; Campabadal, F. (2017)
Effective reduction of the programing pulse width in Al: HfO2-based RRAM arrays

González Ossorio, Óscar ; Pérez, Eduardo; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; García García, Héctor ; Wenger, Christian (2019)
Fabrication, characterization and modeling of TiN/Ti/HfO2/W memristors: programming based on an external capacitor discharge

Jiménez-Molinos, F.; García García, Héctor ; González, M.B.; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Miranda, E.; Campabadal, F.; Roldán, J.B. (2021)
Resistive switching properties of atomic layer deposited ZrO2-HfO2 thin films

González Ossorio, Óscar ; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Tamm, Aile; Kalam, Kristjan; Seemen, Helina; Kukli, Kaupo (2018)
Semiempirical Memdiode Model for Resistive Switching Devices in Dynamic Regimes

Santa Cruz González, C.; Sahelices Fernández, Benjamín ; Jiménez, J.; González Ossorio, Óscar ; Castán Lanaspa, María Helena ; González, M.B.; Vinuesa Sanz, Guillermo; Dueñas Carazo, Salvador ; Campabadal, F.; García García, Héctor (2021)
Single and complex devices on three topological configurations of HfO2 based RRAM

González Ossorio, Óscar ; Poblador Cester, Samuel; Vinuesa Sanz, Guillermo; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; Maestro Izquierdo, Marcos; Bargalló González, Mireia; Campabadal Segura, Francesca (2020)
Thermal Dependence of the Resistance of TiN/Ti/HfO2/Pt Memristors

Jimenez-Molinos, F.; Vinuesa Sanz, Guillermo; García, H.; Tarre, A.; Tamm, A.; Kalam, K.; Kukli, K.; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena ; González, M.B.; Campabadal, F.; Maldonado, D.; Cantudo, A.; Roldán, J.B. (2023)
Using current pulses to control the intermediate conductance states in hafnium oxide-based RRAM devices

García García, Héctor ; González Ossorio, Óscar ; Dueñas Carazo, Salvador ; Castán Lanaspa, María Helena (2020)