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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/48600

    Título
    Performance Assessment of Amorphous HfO2-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications
    Autor
    González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA
    Vinuesa Sanz, GuillermoAutoridad UVA Orcid
    García García, HéctorAutoridad UVA Orcid
    Sahelices Fernández, BenjamínAutoridad UVA Orcid
    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA Orcid
    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA Orcid
    Pérez, Eduardo
    Kalishettyhalli Mahadevaiah, Mamathamba
    Wenger, Christian
    Año del Documento
    2021
    Editorial
    Electrochemical Society
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2021, vol.10, n. 8, p. 083002
    Resumen
    The use of thin layers of amorphous hafnium oxide has been shown to be suitable for the manufacture of Resistive Random-Access memories (RRAM). These memories are of great interest because of their simple structure and non-volatile character. They are particularly appealing as they are good candidates for substituting flash memories. In this work, the performance of the MIM structure that takes part of a 4 kbit memory array based on 1-transistor-1-resistance (1T1R) cells was studied in terms of control of intermediate states and cycle durability. DC and small signal experiments were carried out in order to fully characterize the devices, which presented excellent multilevel capabilities and resistive-switching behavior.
    Materias Unesco
    22 Física
    2210.05 Electroquímica
    33 Ciencias Tecnológicas
    Palabras Clave
    RRAM
    Hafnium oxide
    Óxido de hafnio
    Neuromorphic Applications
    Aplicaciones neuromórficas
    ISSN
    2162-8769
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1149/2162-8777/ac175c
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades (Grant, TEC2017-84321-C4-2-R )
    Fondos Feder y la Deutsche Forschungsgemeinschaft (German Research Foundation) ( with Project-ID 434 434 223- SFB1461)
    The Federal Ministry of Education and Research of Germany under (grant number 16ES1002)
    Version del Editor
    https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/ac175c
    Propietario de los Derechos
    © 2021 ECS - The Electrochemical Society
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/48600
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • GCME- Artículos de revista [57]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    ECS-J.Solid-State-Science-Technology-Performance-Assessment-Amorphous-HfO2-RRAM.pdf
    Tamaño:
    1.804Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternacionalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional

    Universidad de Valladolid

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