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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/51136

    Título
    Atomistic simulations of acceptor removal in p-type Si irradiated with neutrons
    Autor
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Muñoz Velasco, Irene
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    Fernández Martínez, Pablo
    Ullán, Miguel
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2022
    Editorial
    Elsevier
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2022, vol. 512, p. 42-48
    Resumen
    The effective dopant concentration in p-type Si detectors reduces with irradiation fluence at low fluences due to the acceptor removal process, which degrades detector performance and shortens its lifetime. This effect has been experimentally characterized and parametrized, but its microscopic origin is still unknown. We use atomistic simulations to gain insight into acceptor removal in neutron irradiation by modeling damage generation and defect-dopant interactions. We analyze the effect on dopant deactivation of the Si di- and tri-interstitial diffusion, the inhomogeneity of irradiation damage and the wafer temperature rise during irradiation. We characterize defect generation rates and identify the relevant defect-dopant interactions. Acceptor removal occurs mainly through the formation of Bi pairs and small boron-interstitial clusters, and it is limited by the availability of mobile Si interstitials. The presence of impurities (O, C) modifies B-complexes favoring the formation of BiO, but has a limited effect on the amount of removed acceptors.
    Materias Unesco
    22 Física
    Palabras Clave
    P-type detector
    Neutron irradiation
    Atomistic simulation
    ISSN
    0168-583X
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1016/j.nimb.2021.12.003
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (project PID2020-115118GB-I00)
    Version del Editor
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X21004134
    Propietario de los Derechos
    © 2021 The Authors
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/51136
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    Atomistic-simulations-acceptor-removal.pdf
    Tamaño:
    885.5Kb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Atribución 4.0 InternacionalLa licencia del ítem se describe como Atribución 4.0 Internacional

    Universidad de Valladolid

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