• español
  • English
  • français
  • Deutsch
  • português (Brasil)
  • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Listar

    Todo UVaDOCComunidadesPor fecha de publicaciónAutoresMateriasTítulos

    Mi cuenta

    Acceder

    Estadísticas

    Ver Estadísticas de uso

    Compartir

    Ver ítem 
    •   UVaDOC Principal
    • PRODUCCIÓN CIENTÍFICA
    • Grupos de Investigación
    • Electrónica
    • Electrónica - Artículos de revista
    • Ver ítem
    •   UVaDOC Principal
    • PRODUCCIÓN CIENTÍFICA
    • Grupos de Investigación
    • Electrónica
    • Electrónica - Artículos de revista
    • Ver ítem
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano

    Exportar

    RISMendeleyRefworksZotero
    • edm
    • marc
    • xoai
    • qdc
    • ore
    • ese
    • dim
    • uketd_dc
    • oai_dc
    • etdms
    • rdf
    • mods
    • mets
    • didl
    • premis

    Citas

    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/51137

    Título
    Extending defect models for Si processing: The role of energy barriers for defect transformation, entropy and coalescence mechanism
    Autor
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Caballo Zulueta, Ana
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    López Martín, PedroAutoridad UVA Orcid
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2022
    Editorial
    Elsevier
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2022, vol. 512, p. 54-59
    Resumen
    Emergent alternative Si processes and devices have promoted applications outside the usual processing temperature window and the failure of traditional defect kinetics models. These models are based on Ostwald ripening mechanisms, assume pre-established defect configurations and neglect entropic contributions. We performed molecular dynamics simulations of self-interstitial clustering in Si with no assumptions on preferential defect configurations. Relevant identified defects were characterized by their formation enthalpy and vibrational entropy calculated from their local vibrational modes. Our calculations show that entropic terms are key to understand defect kinetics at high temperature. We also show that for each cluster size, defect configurations may appear in different crystallographic orientations and transformations among these configurations are often hampered by energy barriers. This induces the presence of non-expected small-size defect cluster configurations that could be associated to optical signals in low temperature processes. At high temperatures, defect dynamics entails mobility and ripening through a coalescence mechanism.
    Materias Unesco
    22 Física
    Palabras Clave
    Silicon processing
    Si self-interstitial clusters
    Atomistic simulations
    Ostwald ripening
    ISSN
    0168-583X
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1016/j.nimb.2021.12.002
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (project PID2020-115118GB-I00)
    Version del Editor
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X21004122
    Propietario de los Derechos
    © 2021 The Authors
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/51137
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    Extending-defect-models.pdf
    Tamaño:
    1.465Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Atribución 4.0 InternacionalLa licencia del ítem se describe como Atribución 4.0 Internacional

    Universidad de Valladolid

    Powered by MIT's. DSpace software, Version 5.10