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    Citas

    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52827

    Título
    A study of the electrical activity of crystal defects in multicrystalline si
    Autor
    Jimenez, Marta
    Moretón Fernández, Ángel
    Colina, Juan Manuel
    Martínez Sacristán, ÓscarAutoridad UVA Orcid
    González Rebollo, Miguel ÁngelAutoridad UVA
    Jiménez López, Juan IgnacioAutoridad UVA Orcid
    Congreso
    Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) XVIII
    Año del Documento
    2019
    Documento Fuente
    Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) XVIII, Berlín, Alemania, 2019
    Zusammenfassung
    - The electrical activity of the extended defects is greatly influenced by the presence of metallic impurities. - The activity of GBs depends on the background metallic impurities, as [M] decreases the GBs loss its electrical activity. - Instead, the sub-grain boundaries present a higher electrical activity, even if [M] is reduced. - The measure of the diffusion length in the presence of high concentrations of metallic impurities can be misleading.
    Patrocinador
    Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyecto de Investigación ENE2017-89561-C4-3-R)
    Junta de Castilla y León (Proyecto de Investigación VA283P18)
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52827
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/draft
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP32 - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc. [56]
    Zur Langanzeige
    Dateien zu dieser Ressource
    Nombre:
    A study of the electrica_M.Jimenez_DRIP_2019.pdf
    Tamaño:
    1.667Mb
    Formato:
    Adobe PDF
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