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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/62051

    Título
    Memory effects in nanolaminates of hafnium and iron oxide films structured by atomic layer deposition
    Autor
    Kalam, Kristjan
    Otsus, Markus
    Kozlova, Jekaterina
    Tarre, Aivar
    Kasikov, Aarne
    Rammula, Raul
    Link, Joosep
    Stern, Raivo
    Vinuesa Sanz, GuillermoAutoridad UVA Orcid
    Lendínez Sánchez, José Miguel
    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA Orcid
    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA Orcid
    Tamm, Aile
    Kukli, Kaupo
    Año del Documento
    2022
    Editorial
    MDPI
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Nanomaterials, 2022, Vol. 12, Nº. 15, 2593
    Zusammenfassung
    HfO2 and Fe2O3 thin films and laminated stacks were grown by atomic layer deposition at 350 °C from hafnium tetrachloride, ferrocene, and ozone. Nonlinear, saturating, and hysteretic magnetization was recorded in the films. Magnetization was expectedly dominated by increasing the content of Fe2O3. However, coercive force could also be enhanced by the choice of appropriate ratios of HfO2 and Fe2O3 in nanolaminated structures. Saturation magnetization was observed in the measurement temperature range of 5–350 K, decreasing towards higher temperatures and increasing with the films’ thicknesses and crystal growth. Coercive force tended to increase with a decrease in the thickness of crystallized layers. The films containing insulating HfO2 layers grown alternately with magnetic Fe2O3 exhibited abilities to both switch resistively and magnetize at room temperature. Resistive switching was unipolar in all the oxides mounted between Ti and TiN electrodes.
    Materias (normalizadas)
    Thin films
    Atomic layer deposition
    Oxide
    Hafnium
    Iron oxides
    Oxido ferroso
    Nanoparticles
    Nanoparticulas
    Nanotechnology
    Nanotecnología
    Ferromagnetism
    Magnetism
    Magnetic materials
    Materiales magnéticos
    Resistive switching
    Switching circuits
    Circuitos eléctricos
    Microelectronics
    Materias Unesco
    3303 Ingeniería y Tecnología Químicas
    2202.08 Magnetismo
    3307.90 Microelectrónica
    ISSN
    2079-4991
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.3390/nano12152593
    Patrocinador
    Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER) - (grant TK134)
    Ministerio de Economía y Competitividad y Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER) - (grant TEC2017-84321-C4-2-R)
    Agencia de Investigación de Estonia - (grant PRG753, PRG4)
    Version del Editor
    https://www.mdpi.com/2079-4991/12/15/2593
    Propietario de los Derechos
    © 2022 The Authors
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/62051
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • GCME - Artículos de revista [57]
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    Zur Langanzeige
    Dateien zu dieser Ressource
    Nombre:
    Memory-Effects-in-Nanolaminates.pdf
    Tamaño:
    2.461Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
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