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Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices	261

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Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices	97

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Visitas

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Julho 2025	9
Agosto 2025	12
Setembro 2025	17
Outubro 2025	17
Novembro 2025	21
Dezembro 2025	8
Janeiro 2026	13

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Julho 2025

1
Agosto 2025

3
Setembro 2025

15
Outubro 2025

11
Novembro 2025

10
Dezembro 2025

1
Janeiro 2026

3
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Principais visualizações por país

	Visualizações
Estados Unidos	30
China	28
Espanha	11
Venezuela	7
Alemanha	4
Cingapura	2
Brasil	2
Albânia	1
Canadá	1
França	1

Países con más descargas

	Descargas
Estados Unidos	21
China	6
Brasil	3
Espanha	2
Alemanha	1
Cingapura	1
Venezuela	1
Canadá	1
França	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Inca	8
Frankfurt am Main	4
Los Angeles	2
Singapore	2
Valladolid	2
Beijing	2
Ashburn	1
Bengkulu	1
Central	1
Changchun	1

Ciudades con más descargas

	Descargas
Inca	2
Beijing	2
Los Angeles	1
Singapore	1
Frankfurt am Main	1
Central	1