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Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices	319

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Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices	134

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Visitas

	Visitas
Setembro 2025	17
Outubro 2025	17
Novembro 2025	21
Dezembro 2025	8
Janeiro 2026	38
Fevereiro 2026	17
Março 2026	16

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Número de descargas en el intervalo

Descargas
Setembro 2025

15
Outubro 2025

11
Novembro 2025

10
Dezembro 2025

1
Janeiro 2026

4
Fevereiro 2026

5
Março 2026

4
Descarga de datos en CSV

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Principais visualizações por país

	Visualizações
China	42
Estados Unidos	40
Brasil	10
Canadá	6
Espanha	5
Alemanha	4
Cingapura	3
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	3
Indonésia	2
México	2

Países con más descargas

	Descargas
Estados Unidos	24
China	8
Brasil	3
Espanha	2
Alemanha	2
Canadá	2
Cingapura	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Hamilton	4
Valladolid	4
Frankfurt am Main	4
New York	3
Central	3
Beijing	2
Los Angeles	2
Singapore	2
Ashburn	2
Angra dos Reis	1

Ciudades con más descargas

	Descargas
Frankfurt am Main	2
Beijing	2
New York	1
Central	1
Los Angeles	1
Singapore	1