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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature373

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Russie18
Chine15
Brésil12
Espagne10
Vénézuela9
France8
Singapour7
Vietnam5
Hong-Kong4

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Etats-Unis41
Chine5
Singapour4
Hong-Kong3
Russie2
Espagne1
Vénézuela1

Consultations : palmarès par ville

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Council Bluffs17
Inca8
Hefei5
Central4
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Huangpu2
Kyiv2
Brussels2
Ankara1

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Central3
Council Bluffs2
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Inca1
Ankara1