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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature	260

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dicembre 2024	0
gennaio 2025	33
febbraio 2025	8
marzo 2025	5
aprile 2025	14
maggio 2025	126
giugno 2025	74

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dicembre 2024

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gennaio 2025

15
febbraio 2025

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marzo 2025

15
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Russia	12
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Spagna	8
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Vietnam	4
Venezuela	4
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Francia	3

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Belgio	1
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Philadelphia	3
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Philadelphia	7
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