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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature488

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Outubro 202533
Novembro 20259
Dezembro 202514
Janeiro 202617
Fevereiro 202610
Março 202617
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  • Outubro 2025
    19
  • Novembro 2025
    20
  • Dezembro 2025
    29
  • Janeiro 2026
    36
  • Fevereiro 2026
    25
  • Março 2026
    52
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França5
Espanha5
Vietnã4
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Hong Kong, Região Admin. Especial da China2

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Espanha8
Alemanha8
Reino Unido7
França6
Hong Kong, Região Admin. Especial da China6
Suíça4
Vietnã2
Brasil2

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Beijing3
San Francisco3
Santa Clara3
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Ho Chi Minh City2
Reston2
Seattle2
Seoul2
Central2
Amsterdam1

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Central4
Seattle3
Beijing2
Ashburn2