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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature	324

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Forming_and_Resistive_Switching_of_HfO-Based_RRAM_Devices_at_Cryogenic_Temperature.pdf	109

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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature	291

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Visitas

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Fevereiro 2025	8
Março 2025	5
Abril 2025	14
Maio 2025	126
Junho 2025	113
Julho 2025	22
Agosto 2025	3

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Número de descargas en el intervalo

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Fevereiro 2025

14
Março 2025

15
Abril 2025

14
Maio 2025

15
Junho 2025

17
Julho 2025

13
Agosto 2025

6
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Principais visualizações por país

	Visualizações
Estados Unidos	200
Rússia	17
Brasil	10
Venezuela	9
China	8
Cingapura	7
Vietnã	4
França	4
Espanha	3
Índia	3

Países con más descargas

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Estados Unidos	34
China	8
Índia	5
Cingapura	4
Rússia	2
Venezuela	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Council Bluffs	17
Philadelphia	3
Singapore	3
Hefei	3
Central	2
Kyiv	2
Brussels	2
Ankara	1
Bellaterra	1
Belo Horizonte	1

Ciudades con más descargas

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Philadelphia	6
Council Bluffs	2
Singapore	2
Central	2
Ankara	1