Número total de visitas

Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition650

Visitas al fichero

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf611

Seleccione un intervalo de tiempo:

VisualizacionesDescargas

Número de visitas en el intervalo

Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition120

Número de descargas en el intervalo

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf53

Visitas

Visitas
enero 202522
febrero 20253
marzo 20251
abril 202525
mayo 202529
junio 202527
julio 202513
Descarga de datos en CSV
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Número de descargas en el intervalo

  • Descargas
  • enero 2025
    13
  • febrero 2025
    5
  • marzo 2025
    8
  • abril 2025
    6
  • mayo 2025
    3
  • junio 2025
    12
  • julio 2025
    6
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Países con más visualizaciones

Visualizaciones
Estados Unidos44
China19
Brasil18
Rusia16
Vietnam5
Venezuela5
India3
Ucrania2
Australia2
Argentina1

Países con más descargas

Descargas
Estados Unidos24
China9
Rusia2
Vietnam1
India1

Ciudades con más visualizaciones

Visualizaciones
São Paulo2
Adelaide2
Angra dos Reis1
Aracoiaba da Serra1
Ashburn1
Boa Vista do Jauato1
Caetite1
Cambira1
Can Tho1
Clermont1

Ciudades con más descargas

Descargas
Ashburn1