Estadísticas

Número total de visitas

	Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	705

Visitas al fichero

	Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf	655

Seleccione un intervalo de tiempo:

VisualizacionesDescargas

Número de visitas en el intervalo

	Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	149

Número de descargas en el intervalo

	Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf	71

Visitas

	Visitas
abril 2025	25
mayo 2025	29
junio 2025	27
julio 2025	17
agosto 2025	13
septiembre 2025	24
octubre 2025	14

Descarga de datos en CSV

Gráfico barras

Gráfico líneas

Número de descargas en el intervalo

Descargas
abril 2025

6
mayo 2025

3
junio 2025

12
julio 2025

10
agosto 2025

6
septiembre 2025

21
octubre 2025

13
Descarga de datos en CSV

Gráfico barras

Gráfico líneas

Países con más visualizaciones

	Visualizaciones
Estados Unidos	43
China	27
Brasil	23
Rusia	16
España	8
Vietnam	6
Singapur	6
Venezuela	5
India	3
Australia	2

Países con más descargas

	Descargas
Estados Unidos	37
China	12
Singapur	4
España	2
Rusia	2
Brasil	2
Vietnam	1
India	1

Ciudades con más visualizaciones

	Visualizaciones
Inca	8
Huangpu	4
Hefei	3
Jinan	2
Shanghai	2
Singapore	2
São Paulo	2
Adelaide	2
Angra dos Reis	1
Aracoiaba da Serra	1

Ciudades con más descargas

	Descargas
Inca	2
Shanghai	2
Singapore	1