Número total de visitas

Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition843

Visitas al fichero

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf708

Seleccione un intervalo de tiempo:

VisualizacionesDescargas

Número de visitas en el intervalo

Visualizaciones
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition152

Número de descargas en el intervalo

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf66

Visitas

Visitas
octubre 202529
noviembre 202523
diciembre 20259
enero 202627
febrero 202613
marzo 202629
abril 202622
Descarga de datos en CSV
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Número de descargas en el intervalo

  • Descargas
  • octubre 2025
    17
  • noviembre 2025
    10
  • diciembre 2025
    7
  • enero 2026
    8
  • febrero 2026
    11
  • marzo 2026
    8
  • abril 2026
    5
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Países con más visualizaciones

Visualizaciones
Estados Unidos52
China31
Brasil14
Vietnam8
Holanda7
Singapur5
Reino Unido4
Bangladesh3
Canadá2
Egipto2

Países con más descargas

Descargas
Estados Unidos30
China11
Canadá3
Reino Unido2
Singapur1
Brasil1
Bangladesh1
Holanda1

Ciudades con más visualizaciones

Visualizaciones
Singapore5
São Paulo3
Dhaka2
Haiphong2
Hanoi2
Ho Chi Minh City2
San Jose2
Tanta2
Ashburn2
Amman1

Ciudades con más descargas

Descargas
Ashburn1