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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	501

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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	99

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Visitas

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aprile 2024	4
maggio 2024	9
giugno 2024	12
luglio 2024	21
agosto 2024	7
settembre 2024	34
ottobre 2024	12

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Número de descargas en el intervalo

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aprile 2024

11
maggio 2024

7
giugno 2024

4
luglio 2024

5
agosto 2024

10
settembre 2024

8
ottobre 2024

10
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Países con más visualizaciones

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Stati Uniti	43
Singapore	32
Australia	8
Russia	6
Francia	5
India	2
Cina	1
Indonesia	1
Romania	1

Países con más descargas

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Stati Uniti	21
Cina	4
Indonesia	3
Francia	1
India	1

Ciudades con más visualizaciones

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Singapore	22
Ashburn	18
Indianola	5
Boardman	4
Melbourne	3
Houston	3
Canberra	2
Mumbai	2
Brisbane	2
Jakarta	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	4
Jakarta	2
Indianola	1