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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31963

    Título
    Elucidating the atomistic mechanisms driving self-diffusion of amorphous Si during annealing
    Autor
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA Orcid
    Pelaz Montes, María LourdesAutoridad UVA Orcid
    Marqués Cuesta, Luis AlbertoAutoridad UVA Orcid
    Colombo, Luciano
    Año del Documento
    2011
    Editorial
    American Physical Society
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Physical Review B, 2011, 83, 153201
    Résumé
    We have analyzed the atomic rearrangements underlying self-diffusion in amorphous Si during annealing using tight-binding molecular dynamics simulations. Two types of amorphous samples with different structural features were used to analyze the influence of coordination defects. We have identified several types of atomic rearrangement mechanisms, and we have obtained an effective migration energy of around 1 eV. We found similar migration energies for both types of samples, but higher diffusivities in the one with a higher initial percentage of coordination defects.
    Palabras Clave
    Silicio cristalino
    Crystalline silicon
    ISSN
    2469-9950
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1103/PhysRevB.83.153201
    Patrocinador
    Ministerio de Economía, Industria y Competitividad (Project TEC2008-06069)
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación - Ref. VA011A09)
    HPC-EUROPA2 (Project 228398)
    Version del Editor
    https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.83.153201
    Propietario de los Derechos
    © 2011 American Physical Society
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31963
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP22 - Artículos de revista [65]
    • Electrónica - Artículos de revista [33]
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    Fichier(s) constituant ce document
    Nombre:
    2011_Santos_PRB_83.pdf
    Tamaño:
    465.6Ko
    Formato:
    Adobe PDF
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