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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	734

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Singapur	12
Vietnam	12
Francia	12
Rusia	11
Hong Kong	9
Alemania	5

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Estados Unidos	32
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España	4
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Hong Kong	4
Alemania	4
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Council Bluffs	19
Singapore	9
Central	9
Valladolid	8
Inca	8
Salamanca	4
Ho Chi Minh City	4
Hanoi	3
Hefei	3
Seoul	3

Ciudades con más descargas

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Central	4
Singapore	4
Inca	2
Seoul	2