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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	823

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Etats-Unis	62
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Vietnam	6
Espagne	6
Canada	5
Allemagne	4
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Etats-Unis	28
Chine	11
Allemagne	6
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Hong-Kong	4
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Consultations : palmarès par ville

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Central	14
Singapore	9
San Jose	7
Valladolid	6
Los Angeles	5
Beijing	3
Hamilton	3
Ho Chi Minh City	3
Ashburn	3
Chicago	2

Ciudades con más descargas

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Singapore	4
Central	3
Beijing	2
Ashburn	1
Hamilton	1