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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	759

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Consultations : palmarès par pays

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Etats-Unis	57
Chine	37
Espagne	24
France	12
Singapour	12
Brésil	12
Russie	11
Hong-Kong	10
Allemagne	5
Vietnam	5

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France	6
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Hong-Kong	3
Russie	1

Consultations : palmarès par ville

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Central	10
Singapore	9
Valladolid	8
Inca	8
San Jose	7
Salamanca	4
Hefei	3
Beijing	2
Chicago	2
Curitiba	2

Ciudades con más descargas

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Singapore	4
Central	3
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Beijing	2