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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	371

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Março 2024	8
Abril 2024	14
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Agosto 2024	28
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Março 2024

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Estados Unidos	53
Cingapura	10
Taiwan	5
China	4
Rússia	3
Coreia do Sul	2
Alemanha	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1
Indonésia	1
Malásia	1

Países con más descargas

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Estados Unidos	14
Taiwan	2
China	2
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	2
Indonésia	1
Malásia	1

Principais visualizações por cidade

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Ashburn	20
Singapore	7
Taipei	5
Santa Clara	4
Houston	3
Shanghai	2
Xi'an	2
Prineville	2
Indianola	1
Jakarta	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	6
Taipei	1
Prineville	1
Shanghai	1
Indianola	1
Jakarta	1