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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	387

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Maio 2024	9
Junho 2024	8
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Agosto 2024	28
Setembro 2024	8
Outubro 2024	11
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Maio 2024

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6
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3
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Estados Unidos	46
Rússia	12
Cingapura	10
China	3
Espanha	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1
Indonésia	1
Malásia	1
Togo	1

Países con más descargas

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Estados Unidos	10
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China	2
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	2
Indonésia	1
Malásia	1

Principais visualizações por cidade

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Ashburn	18
Singapore	7
Santa Clara	4
Boardman	4
Houston	3
Shanghai	2
Prineville	2
Indianola	1
Jakarta	1
Kowloon	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	5
Prineville	1
Shanghai	1
Indianola	1
Jakarta	1