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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	734

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Junho 2025	64
Julho 2025	28
Agosto 2025	43
Setembro 2025	42
Outubro 2025	26
Novembro 2025	21
Dezembro 2025	13

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Junho 2025

12
Julho 2025

2
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10
Setembro 2025

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15
Novembro 2025

27
Dezembro 2025

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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	85
China	33
Espanha	24
Brasil	19
Cingapura	12
Vietnã	12
França	12
Rússia	11
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	9
Alemanha	5

Países con más descargas

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Estados Unidos	32
China	6
França	6
Espanha	4
Cingapura	4
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	4
Alemanha	4
Rússia	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Council Bluffs	19
Singapore	9
Central	9
Valladolid	8
Inca	8
Salamanca	4
Ho Chi Minh City	4
Hanoi	3
Hefei	3
Seoul	3

Ciudades con más descargas

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Central	4
Singapore	4
Inca	2
Seoul	2