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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	858

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Outubro 2025	26
Novembro 2025	21
Dezembro 2025	19
Janeiro 2026	56
Fevereiro 2026	21
Março 2026	32
Abril 2026	9

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Outubro 2025

15
Novembro 2025

27
Dezembro 2025

6
Janeiro 2026

8
Fevereiro 2026

10
Março 2026

3
Abril 2026

7
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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	63
China	41
Brasil	14
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	7
Vietnã	7
Espanha	7
Cingapura	6
Alemanha	5
Canadá	5
Reino Unido	3

Países con más descargas

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Estados Unidos	26
China	12
Alemanha	6
Reino Unido	6
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	4
Canadá	4
Cingapura	3
Espanha	2

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
San Jose	7
Central	7
Valladolid	6
Singapore	6
Los Angeles	4
Frankfurt am Main	4
Hamilton	3
Ho Chi Minh City	3
Beijing	3
Ashburn	2

Ciudades con más descargas

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Frankfurt am Main	4
Central	3
Singapore	2
Beijing	2
Hamilton	1
Ashburn	1