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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/66161

    Título
    Inhomogeneous HfO2 layer growth at atomic layer deposition
    Autor
    Kasikov, Aarne
    Tarre, Aivar
    Vinuesa Sanz, GuillermoAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2023
    Editorial
    Sciendo
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    Journal of Electrical Engineering VOLUME 74 (2023): ISSUE 4 (AUGUST 2023)
    Resumen
    Thin HfO2 films atomic layer deposited from hafnium alkyl amide and oxygen plasma were analysed using spectroscopic ellipsometry and X-ray reflectivity. Low refractive index of the material for samples with less than 30 nm thickness marks the index inhomogeneity at the first stage of growth. The transition from rising density to a more stable growth takes place at about 10 to 25 nm film thickness. HfO2 films used for resistive switching experiments demonstrate either clockwise or counterclockwise behaviour depending on the film thickness. The reason for this may be the disruption of the conductive filament at different metal-insulator interfaces, which could be favoured by several mechanisms.
    Palabras Clave
    hafnium thin films
    spectroscopic ellipsometry
    growth inhomogeneity
    atomic layer deposition
    packing density
    resistive switching
    filament formation
    ISSN
    1335-3632
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.2478/jee-2023-0031
    Patrocinador
    Estonian Research Council (grants PRG753 "Resistive switching in artificially designed materials for data processing" and PSG448 "Formation and stabilization of high-density hard phases of optical materials in thin-film structures") and by the EU Commission through the European Regional Development Fund under project TK141 "Advanced materials and high-technology devices for sustainable energetics, sensorics and nanoelectronics"
    Version del Editor
    https://sciendo.com/article/10.2478/jee-2023-0031
    Idioma
    spa
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/66161
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • GCME- Artículos de revista [57]
    Mostrar el registro completo del ítem
    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    Inhomogeneous-HfO-layer-growth-at-atomic-layer-deposition.pdf
    Tamaño:
    670.0Kb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternacionalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional

    Universidad de Valladolid

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