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Título
Modeling SiGe through classical molecular dynamics simulations: chasing an appropriate empirical potential
Otros títulos
Spanish Conference on Electron Devices (CDE 2018)
Autor
Congreso
2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Año del Documento
2019
Editorial
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE).
Descripción
Producción Científica
Documento Fuente
2018 Spanish Conference on Electron Devices (CDE). Proceedings, 14-16 Nov. 2018, Salamanca.
Resumen
We used classical molecular dynamics simulations to reproduce basic properties of Si, Ge and SiGe using different empirical potentials available in the literature. The empirical potential that offered the better compromise with experimental data was used to study the surface stability of these materials. We considered the (100), (100)2×1 and (111) surfaces, and we found the processing temperature range to avoid the structural degradation of studied surfaces.
Palabras Clave
Simulaciones de dinámica molecular
Molecular dynamics simulations
ISBN
978-1-5386-5779-9
Patrocinador
Ministerio de Ciencia e Innovación (Proyect TEC2017-86150-P)
Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación – Ref. VA097P17 and VA119G18)
Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación – Ref. VA097P17 and VA119G18)
Version del Editor
Propietario de los Derechos
© 2018 IEEE
Idioma
eng
Derechos
openAccess
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